SSD 向來予人高效能但貴價的形象。雖然近期 256GB SSD 只需數百元亦有交易，但相比起主流硬碟同樣價錢便可達數 TB，容量上確實仍有不少差距。不過 Micron 及 Intel 早前聯合公布最新 3D NAND 技術，未來 SSD 容量將可同樣攀上海量級數。
是次 Micron 與 Intel 的 3D NAND 使用 Floating Gate Cell 技術，乃由以往「平面」的 Planar flash 改進而來，但新的 3D NAND 卻能像建築物般「垂直」層層堆疊。據悉，初代 3D NAND 將可實現 32 層 256Gb（ 32GB）MLC Cell 或 384Gb（48GB）TLC Cell。預料屆時 M.2 大小的 SSD 將可達到 3.5TB 容量，2.5 吋標準 SSD 更可攀上 10TB 水平。
另外，3D NAND 亦會採用 4-plane 設計以提升吞吐量，相對現時 2-plane 設計的讀取及刪除速度快約 2 倍。同時廠方又表示新的 3D NAND 會維持 3,000 P/E cycles 水平，使用壽命估計與現有 SSD 顆粒相若，未來更可進一步提升到 10,000 P/E cycles 以上。
消息指，3D NAND 256Gbit MLC 顆粒樣本已送交特定廠商，預定今年下半年將進入投產階段，相信首批 3D NAND SSD 產品將於明年上半年上市。
來源、圖片：Anandtech、Digital Trends、Digitimes