Intel 7nm 被迫延期已是行內皆知的新聞，但這不等於 Intel 會放棄自家生產技術，在 Intel Architecture Day 2020 中，Intel 即一連公佈了兩代 10nm 製程，以及最新封裝技術－混合接合 Hybrid Bonding 的發展。
10nm SuperFin 製程
SuperFin 製程技術屬 FinFET 電晶體技術的改良版，可實現單節點 ( 即維持 10nm ) 內技術升級，重要性不亞於引進 7nm 製程，在未來 Intel 還會推出 10nm Enhanced SuperFin，以之抗衡 TSMC 及 Samsung 等 5nm 製程，而即將推出的 Tiger Lake 筆電處理器將成為首款採用 10nm SuperFin 技術的 CPU。
10nm SuperFin 技術把增強型 FinFET 電晶體與 Super MIM 電容器結合在一起。所謂增強型 FinFET 電晶體是苛於源極/汲極提供增強的磊晶，可改進柵極製程和額外的柵極間距，允許更多電流通過通道、使電荷載子更快速地移動。據 Intel 表示，10nm SuperFin 所用新型薄阻障層將通孔電阻降低了 30%，增強了互連效能。
至於 Super MIM 電容器，將是一項領先業界的技術。Intel Super MIM 電容器在佔用相同的面積下，提供 5 倍的容值，從而降低電壓驟降情況，並顯著提高產品效能。談到 Intel 未來兩代還停留在 10nm 製程，筆者想到早前有台灣媒體報導指出，Intel 對於領先業界的密度過於執著，以至影響了新製程的推出。看來空穴來風並非無因，Intel 未來要考慮如何作出平衡。
混合接合 Hybrid Bonding 技術
對於 Intel 來說，先進封裝製程的作用不下於 10nm SuperFin 製程，不滿足於 Lakefield 的 3D Foveros 封裝技術，Intel 公佈新一代的混合接合 Hybrid Bonding 測試晶片已於 2020 年第二季投片，將用於取代傳統的「熱壓」接合封裝技術。Hybrid Bonding 採用先進的 10nm 以下凸點間距，比3D Foveros 封裝技術更為精進，可提供更高的互連密度及頻寬，並帶來更低的功耗等等。
